|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1990 |
1. |
S. G. Konnikov, V. A. Posse, V. A. Solovev, V. E. Umanskii, V. M. Chistyakov, “Определение электрофизических параметров полупроводников методом
математического моделирования сигнала индуцированного тока”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990), 271–275 |
2. |
S. G. Konnikov, S. A. Solovev, V. E. Umanskii, S. F. Karmanenko, O. V. Kosogov, “DIRECT OBSERVATION OF SPACE HETEROGENEITY OF HTSC FILM SUPERCONDUCTIVITY
BY THE LOW-TEMPERATURE SCREEN ELECTRON-MICROSCOPY METHOD”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:10 (1990), 47–51 |
3. |
I. A. Andreev, M. A. Afrailov, A. N. Baranov, M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, I. N. Timchenko, V. E. Shestnev, V. E. Umanskii, Yu. P. Yakovlev, “UNCOOLED PHOTODIODES BASED ON INAS/INASSBP FOR THE SPECTRAL RANGE OF
2-3,5 MU-M”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:4 (1990), 27–32 |
|
1989 |
4. |
S. G. Konnikov, O. V. Salata, V. A. Solovev, M. A. Sinicin, V. E. Umanskii, D. A. Vinokurov, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных
слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989), 1416–1419 |
5. |
S. G. Konnikov, V. A. Solovev, V. E. Umanskii, V. M. Chistyakov, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных
слоев в растровом электронном микроскопе (теория)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989), 1411–1415 |
|
1988 |
6. |
S. G. Konnikov, V. E. Umanskii, V. M. Chistyakov, I. I. Lodyzhenskii, “Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при
возбуждении электронным пучком в РЭМ”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988), 1803–1807 |
|
1987 |
7. |
S. G. Konnikov, V. A. Solovev, V. E. Umanskii, V. M. Chistyakov, “Function of Electron-Hole Pair Generation in A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ Semiconductors under Electron-Beam Excitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987), 2028–2032 |
8. |
S. G. Konnikov, V. A. Solovev, V. E. Umanskii, A. A. Husainov, V. M. Chistyakov, I. N. Yassievich, “Current Induced by Electron Probe in Semiconductor Heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:9 (1987), 1648–1653 |
9. |
S. G. Konnikov, V. E. Umanskii, I. I. Lodyzhinskii, “Picosecond raster electronic microscopy of fast semiconducting devices”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:19 (1987), 1183–1186 |
|
1986 |
10. |
S. G. Konnikov, B. A. Matveev, T. B. Popova, N. M. Stus, G. N. Talalakin, V. E. Umanskii, “Dislocation distribution in bended $\mathrm{InAsSbP}/\mathrm{InAs}$ structures”, Fizika Tverdogo Tela, 28:3 (1986), 789–792 |
11. |
S. G. Konnikov, V. A. Solov'ev, V. E. Umanskii, A. V. Chudinov, A. A. Khusainov, “Microcathodoluminescence of Double Heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:6 (1986), 1049–1054 |
|
1984 |
12. |
V. N. Bessolov, S. G. Konnikov, M. V. Lebedev, V. E. Umanskii, Yu. P. Yakovlev, “Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP
структурах”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:3 (1984), 149–153 |
|
1983 |
13. |
V. N. Bessolov, S. G. Konnikov, V. E. Umanskii, Yu. P. Yakovlev, “DISTINCTION OF THERMAL-EXPANSION COEFFICIENTS IN GA1-XALXP-GAP
HETEROSTRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:2 (1983), 411–412 |
14. |
V. N. Bessolov, A. N. Imenkov, S. G. Konnikov, E. A. Posse, V. E. Umanskii, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных
варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983), 2173–2176 |
|
Organisations |
|
|
|
|