|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Влияние предварительной термообработки на эффективность образования
радиационных дефектов в бездислокационном кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:8 (1992), 1509–1511  |
| 2. |
L. A. Kazakevich, P. F. Lugakov, “Особенности отжига компенсирующих радиационных дефектов
в бездислокационном $n$-кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992), 1142–1145 |
| 3. |
I. I. Kolkovskii, V. F. Latyshenko, P. F. Lugakov, V. V. Shusha, “Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными
типами ростовых микродефектов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:1 (1992), 176–180 |
|
1991 |
| 4. |
L. A. Kazakevich, P. F. Lugakov, “Эффективность образования вакансионных и междоузельных комплексов
при облучении бездислокационного $n$-кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991), 110–113 |
|
1990 |
| 5. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1721–1725 |
| 6. |
L. A. Kazakevich, V. I. Kuznetsov, P. F. Lugakov, I. M. Filippov, A. V. Tsikunov, “Влияние деформационных напряжений границы раздела
Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990), 517–520 |
|
1989 |
| 7. |
V. I. Kuznetsov, P. F. Lugakov, A. R. Salmanov, A. V. Tsikunov, “Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов
в $p$-Si$\langle\text{Ge}\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989), 1492–1495 |
| 8. |
I. I. Kolkovskii, P. F. Lugakov, V. V. Shusha, “Особенности образования рекомбинационных центров
при облучении бездислокационного $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989), 885–887 |
| 9. |
L. A. Kazakevich, P. F. Lugakov, I. M. Filippov, “Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении $p$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 748–751 |
| 10. |
L. A. Kazakevich, P. F. Lugakov, I. M. Filippov, “Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах
в $p$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 722–725 |
|
1988 |
| 11. |
N. I. Bletskan, V. I. Kuznetsov, P. F. Lugakov, A. R. Salmanov, A. V. Tsikunov, “Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном
германием”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:12 (1988), 2223–2226 |
| 12. |
P. F. Lugakov, T. A. Lukashevich, “Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов
при электронном и $\gamma$-облучении кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:11 (1988), 2071–2073 |
| 13. |
L. A. Kazakevich, V. I. Kuznetsov, P. F. Lugakov, “Формирование областей скопления радиационных дефектов
в дислокационном кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988), 499–502 |
|
1987 |
| 14. |
P. F. Lugakov, T. A. Lukashevich, “Shift of the Fermi Level and Conversion of Conduction Type under Irradiation of $n$-Туре Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987), 746–748 |
|
1986 |
| 15. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, V. V. Shusha, “Characteristic Properties of Radiation-Defect Accumulation in $p$-Type High-Resistance Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986), 1894–1897 |
| 16. |
I. I. Kolkovskii, P. F. Lugakov, V. V. Shusha, “Recombination Properties of Radiation-Induced Defects in Transniutationally Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 964–967 |
| 17. |
L. A. Kazakevich, P. F. Lugakov, I. M. Filippov, V. V. Shusha, “Recombination Activity of Dislocations in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 767–770 |
| 18. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Processes of Complex Formation in Silicon under Irradiation-Temperature Variation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 742–744 |
| 19. |
L. A. Kazakevich, V. I. Kuznetsov, P. F. Lugakov, “Activation Energy of Thermal Ionization of Radiation-Induced Defects in Dislocation Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986), 345–347 |
|
1985 |
| 20. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, Yu. M. Pokotilo, “Nature and Parameters
of Impurity-Defective Aggregates
in Neutron-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985), 2014–2017 |
|
1984 |
| 21. |
V. I. Kuznetsov, P. F. Lugakov, A. V. Tsikunov, “Special Features of Formation and Annealing of Radiation-Indiced Defects in Si due to Interaction
with the Surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:6 (1984), 1007–1010 |
| 22. |
L. A. Kazakevich, P. F. Lugakov, I. M. Filippov, “Radiation-Induced Variation of Charge-Carrier Lifetime in Dislocation Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 543–545 |
| 23. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Effect of Radiation Intensity on the Rate of annihilation of Vacancies and Interstitials in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984), 345–347 |
|
1983 |
| 24. |
V. I. Kuznetsov, P. F. Lugakov, “Влияние условий облучения и примесного состава кремния
на параметры областей скопления дефектов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983), 1902–1904 |
| 25. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Природа дефектов и особенности их образования при облучении
нейтронно-легированного кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983), 1601–1603 |
| 26. |
L. A. Kazakevich, P. F. Lugakov, “Взаимодействие точечных и групповых радиационных дефектов
в дислокационном кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983), 1517–1519 |
| 27. |
P. F. Lugakov, V. V. Luk'yanitsa, “Взаимодействие дефектов вакансионного и междоузельного типов при
отжиге облученного $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983), 166–168 |
|
1966 |
| 28. |
A. N. Sevchenko, V. D. Tkachev, P. F. Lugakov, “Energy spectrum of radiation disturbances in single silicon crystals”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 169:3 (1966), 562–564 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: