Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Tsarenkov, Boris Vasil'evich

Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 43
Scientific articles: 43

Number of views:
This page:202
Abstract pages:2015
Full texts:1212

https://www.mathnet.ru/eng/person134789
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
1992
1. T. V. Sakalo, V. N. Bessolov, S. A. Kukushkin, M. V. Lebedev, B. V. Tsarenkov, “RELAXATION LIQUID EPITAXY WITH MASS-TRANSFER INVERSION - SIMULATION AND EXPERIMENT”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 62:3 (1992),  100–105  mathnet
1991
2. P. A. Ivanov, B. V. Tsarenkov, “SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота$-$мощность”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991),  1913–1921  mathnet
3. E. N. Vigdorovich, Y. A. Goldberg, M. G. Durdymuradova, D. Melebaev, B. V. Tsarenkov, “Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур: влияние промежуточного диэлектрического слоя”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1419–1422  mathnet
4. V. L. Berkovits, V. N. Bessolov, T. V. Lvova, E. B. Novikov, V. I. Safarov, R. V. Khasieva, B. V. Tsarenkov, “Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1406–1413  mathnet
5. Y. A. Goldberg, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, M. I. Shulga, “Термоэлектронный обратный ток в GaAs поверхностно-барьерной структуре”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  439–443  mathnet
1990
6. Y. A. Goldberg, K. K. Dzhamanbalin, A. G. Dmitriev, I. B. Mazo, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, M. I. Shulga, “ADHESION OF GOLD AND NICKEL FILMS TO GALLIUM-ARSENIDE”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 60:11 (1990),  208–209  mathnet
7. V. N. Bessolov, S. G. Konnikov, M. V. Lebedev, K. Yu. Pogrebickii, B. V. Tsarenkov, “EXPERIMENTAL JUSTIFICATION OF A RELAXATION LIQUID EPITAXY MODEL WITH MASS-TRANSFER INVERSION DESIGNED FOR THE FORMATION OF SUPERFINE A3B5 LAYERS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 60:1 (1990),  165–169  mathnet
8. O. V. Konstantinov, B. V. Tsarenkov, “Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990),  2126–2131  mathnet
9. D. N. Bychkovskii, O. V. Konstantinov, B. V. Tsarenkov, “Гетеропереход, возникающий на границе скачкообразного изменения концентрации свободных носителей в однородном по составу полупроводнике”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1848–1856  mathnet
10. Y. A. Goldberg, T. V. Lvova, O. A. Mezrin, S. I. Troshkov, B. V. Tsarenkov, “Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1835–1840  mathnet
1989
11. A. S. Volkov, A. L. Lipko, Sh. M. Meretliev, B. V. Tsarenkov, “Спиновое эхо в системе свободных электронов полупроводника”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2179–2189  mathnet
12. V. A. Dmitriev, L. M. Kogan, Ya. V. Morozenko, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, A. E. Cherenkov, “Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  39–43  mathnet
13. M. M. Anikin, P. A. Ivanov, A. L. Sirkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “SIC-6H FIELD TRANSISTOR WITH RECORD TRANSCONDUCTANCE FOR CARBIDE-SILICON TRANSISTORS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:16 (1989),  36–42  mathnet
1988
14. V. N. Bessolov, S. A. Kukushkin, M. V. Lebedev, B. V. Tsarenkov, “RELAXATION LIQUID EPITAXY BASED ON THE MASS-TRANSFER INVERSION - ITS POTENTIALITIES FOR THE FORMATION OF HYPERFINE A3B5 LAYERS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:8 (1988),  1507–1512  mathnet
15. Y. A. Goldberg, T. V. Lvova, R. V. Khasieva, B. V. Tsarenkov, “Зависимость сопротивления омического контакта полупроводник–металл от ширины запретной зоны полупроводника”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1712–1713  mathnet
16. B. I. Reznikov, A. A. Stamkulov, T. I. Taurbaev, B. V. Tsarenkov, G. V. Tsarenkov, “Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент — спектральный аналог глаза II.  Эксперимент”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1640–1646  mathnet
17. B. I. Reznikov, A. A. Stamkulov, T. I. Taurbaev, B. V. Tsarenkov, G. V. Tsarenkov, “Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент — спектральный аналог глаза I.  Модель”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1634–1639  mathnet
18. B. I. Vishnevskaya, V. A. Dmitriev, I. D. Kovalenko, L. M. Kogan, Ya. V. Morozenko, V. S. Rodkin, A. L. Syrkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “Синие SiC-$6H$-светодиоды”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  664–669  mathnet
19. Y. A. Goldberg, M. V. Ilina, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, “Переход контакта полупроводник–жидкий металл от вентильного к омическому. Влияние параметров полупроводника на температуру перехода”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988),  555–558  mathnet
20. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, S. N. Pyatko, V. P. Rastegaev, A. L. Syrkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  133–136  mathnet
21. O. V. Konstantinov, O. A. Mezrin, B. V. Tsarenkov, “Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  129–132  mathnet
22. V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, N. D. Il'inskaya, A. L. Sirkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, A. E. Cherenkov, “HIGH-TEMPERATURE SIC-6H FIELD TRANSISTOR WITH THE P-N LOCKS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:4 (1988),  289–293  mathnet
1987
23. A. S. Volkov, I. K. Volkova, A. L. Lipko, Sh. M. Meretliev, B. V. Tsarenkov, “Oscillating Integral Hanle Effect with Alternating Sign in Variband Semiconductor”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987),  1893–1898  mathnet
1986
24. G. T. Aitieva, V. N. Bessolov, A. T. Denisova, S. E. Klimenko, S. A. Kukushkin, M. V. Lebedev, B. V. Tsarenkov, “SUPERTHIN GAAS LAYER GROWTH ON THE GAALAS SUBSTRATE BY LIQUID EPITAXY”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:5 (1986),  910–913  mathnet
25. Y. A. Goldberg, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, “Transition of Semiconductor – Liquid-Metal Contact from Rectifier to Ohinic Contact”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1510–1513  mathnet
26. G. T. Aitieva, V. N. Bessolov, A. S. Volkov, V. V. Evstropov, K. V. Kiselev, G. G. Kochiev, A. L. Lipko, B. V. Tsarenkov, “Interface Luminescence of $n$-GaAs/$n$-GaAlAs Heterostructure Produced by Liquid Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986),  1313–1317  mathnet
1985
27. Z. I. Alferov, B. V. Tsarenkov, “Semiconductors A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ – Are 35 Years Old”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:12 (1985),  2113–2117  mathnet
28. A. S. Volkov, A. L. Lipko, S. E. Minakov, B. V. Tsarenkov, “Polarization Photoluminescence of a Variband Semiconductor with Gradient of Electron $g$-Factor. I. Theory”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1277–1282  mathnet
29. V. N. Bessolov, E. S. Dobrynina, M. V. Lebedev, V. I. Petrov, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Luminescence of (GaAl)P Layers Elastically and Plastically Deformed in Heteroepitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1078–1080  mathnet
30. A. N. Baranov, T. N. Danilova, A. N. Imenkov, B. V. Tsarenkov, Yu. M. Shernyakov, Yu. P. Yakovlev, “Coordinate Dependence of the Difference between the Coefficients of Collision Ionization of Holes and Electrons in a Variband $p{-}n$ Structure”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985),  502–506  mathnet
31. G. T. Aitieva, V. N. Bessolov, S. E. Klimenko, V. E. Korsukov, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Development of $(Ga\,Al)As$ superfine layers by liquid epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:8 (1985),  465–469  mathnet
1984
32. V. V. Evstropov, K. V. Kiselev, I. L. Petrovich, B. V. Tsarenkov, “Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое объемного заряда $p{-}n$-структуры”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984),  1852–1858  mathnet
33. Y. A. Goldberg, O. V. Ivanova, T. V. Lvova, B. V. Tsarenkov, “К вопросу об определении контактной разности потенциалов структуры с потенциальным барьером”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984),  1472–1475  mathnet
34. B. V. Tsarenkov, “Рецензия на книгу «Введение в физику полупроводников»”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1339–1340  mathnet
35. V. V. Evstropov, K. V. Kiselev, I. L. Petrovich, B. V. Tsarenkov, “Rate of Recombination via Multilevel (Multiply Charged) Center”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984),  902–912  mathnet
1983
36. V. N. Bessolov, A. N. Imenkov, S. G. Konnikov, E. A. Posse, V. E. Umanskii, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2173–2176  mathnet
37. B. V. Tsarenkov, “Полупроводникам — 150 лет”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2113–2115  mathnet
38. A. S. Volkov, B. G. Plyaskin, B. V. Tsarenkov, G. V. Tsarenkov, “Особенности фотоэффекта в варизонной структуре с потенциальным барьером при фотонном переносе ННЗ”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983),  2098–2100  mathnet
39. Y. A. Goldberg, O. V. Ivanova, T. V. Lvova, B. V. Tsarenkov, “Влияние последовательного сопротивления на характеристику емкость–напряжение поверхностно-барьерной структуры”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1068–1072  mathnet
40. A. N. Baranov, T. N. Danilova, A. N. Imenkov, B. V. Tsarenkov, Yu. M. Shernyakov, Yu. P. Yakovlev, “Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  753–755  mathnet
41. V. V. Evstropov, И. N. Kalinin, B. V. Tsarenkov, “Неклассический термоинжекционный ток в GaP $p{-}n$-структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983),  599–606  mathnet
42. Y. Y. Abdurakhmanov, V. N. Bessolov, A. N. Imenkov, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  125–128  mathnet
1965
43. M. L. Belle, Yu. A. Valov, N. A. Goryunova, L. B. Zlatkin, A. N. Imenkov, M. M. Kozlov, B. V. Tsarenkov, “Optical and photoelectric properties of single $\mathrm{ZnSiP}_2$ crystals”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 163:3 (1965),  606–608  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
 Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024