|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
1. |
T. V. Sakalo, V. N. Bessolov, S. A. Kukushkin, M. V. Lebedev, B. V. Tsarenkov, “RELAXATION LIQUID EPITAXY WITH MASS-TRANSFER INVERSION - SIMULATION AND
EXPERIMENT”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 62:3 (1992), 100–105 |
|
1991 |
2. |
P. A. Ivanov, B. V. Tsarenkov, “SiC СВЧ полевые транзисторы: граничная частота$-$мощность”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991), 1913–1921 |
3. |
E. N. Vigdorovich, Y. A. Goldberg, M. G. Durdymuradova, D. Melebaev, B. V. Tsarenkov, “Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур:
влияние промежуточного диэлектрического слоя”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991), 1419–1422 |
4. |
V. L. Berkovits, V. N. Bessolov, T. V. Lvova, E. B. Novikov, V. I. Safarov, R. V. Khasieva, B. V. Tsarenkov, “Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика
движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991), 1406–1413 |
5. |
Y. A. Goldberg, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, M. I. Shulga, “Термоэлектронный обратный ток в GaAs поверхностно-барьерной структуре”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991), 439–443 |
|
1990 |
6. |
Y. A. Goldberg, K. K. Dzhamanbalin, A. G. Dmitriev, I. B. Mazo, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, M. I. Shulga, “ADHESION OF GOLD AND NICKEL FILMS TO GALLIUM-ARSENIDE”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 60:11 (1990), 208–209 |
7. |
V. N. Bessolov, S. G. Konnikov, M. V. Lebedev, K. Yu. Pogrebickii, B. V. Tsarenkov, “EXPERIMENTAL JUSTIFICATION OF A RELAXATION LIQUID EPITAXY MODEL WITH
MASS-TRANSFER INVERSION DESIGNED FOR THE FORMATION OF SUPERFINE A3B5
LAYERS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 60:1 (1990), 165–169 |
8. |
O. V. Konstantinov, B. V. Tsarenkov, “Изменение поверхностного потенциала полупроводника
при освещении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990), 2126–2131 |
9. |
D. N. Bychkovskii, O. V. Konstantinov, B. V. Tsarenkov, “Гетеропереход, возникающий на границе скачкообразного изменения
концентрации свободных носителей в однородном по составу полупроводнике”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1848–1856 |
10. |
Y. A. Goldberg, T. V. Lvova, O. A. Mezrin, S. I. Troshkov, B. V. Tsarenkov, “Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных
структур GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1835–1840 |
|
1989 |
11. |
A. S. Volkov, A. L. Lipko, Sh. M. Meretliev, B. V. Tsarenkov, “Спиновое эхо в системе свободных электронов полупроводника”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989), 2179–2189 |
12. |
V. A. Dmitriev, L. M. Kogan, Ya. V. Morozenko, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, A. E. Cherenkov, “Фиолетовый SiC-$4C$-светодиод”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989), 39–43 |
13. |
M. M. Anikin, P. A. Ivanov, A. L. Sirkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “SIC-6H FIELD TRANSISTOR WITH RECORD TRANSCONDUCTANCE FOR CARBIDE-SILICON
TRANSISTORS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:16 (1989), 36–42 |
|
1988 |
14. |
V. N. Bessolov, S. A. Kukushkin, M. V. Lebedev, B. V. Tsarenkov, “RELAXATION LIQUID EPITAXY BASED ON THE MASS-TRANSFER INVERSION - ITS
POTENTIALITIES FOR THE FORMATION OF HYPERFINE A3B5 LAYERS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:8 (1988), 1507–1512 |
15. |
Y. A. Goldberg, T. V. Lvova, R. V. Khasieva, B. V. Tsarenkov, “Зависимость сопротивления омического контакта полупроводник–металл
от ширины запретной зоны полупроводника”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988), 1712–1713 |
16. |
B. I. Reznikov, A. A. Stamkulov, T. I. Taurbaev, B. V. Tsarenkov, G. V. Tsarenkov, “Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент — спектральный аналог
глаза II. Эксперимент”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988), 1640–1646 |
17. |
B. I. Reznikov, A. A. Stamkulov, T. I. Taurbaev, B. V. Tsarenkov, G. V. Tsarenkov, “Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент — спектральный аналог
глаза I. Модель”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988), 1634–1639 |
18. |
B. I. Vishnevskaya, V. A. Dmitriev, I. D. Kovalenko, L. M. Kogan, Ya. V. Morozenko, V. S. Rodkin, A. L. Syrkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “Синие SiC-$6H$-светодиоды”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988), 664–669 |
19. |
Y. A. Goldberg, M. V. Ilina, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, “Переход контакта полупроводник–жидкий металл от вентильного
к омическому. Влияние параметров полупроводника на температуру перехода”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988), 555–558 |
20. |
M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, S. N. Pyatko, V. P. Rastegaev, A. L. Syrkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким
$p{-}n$-переходом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 133–136 |
21. |
O. V. Konstantinov, O. A. Mezrin, B. V. Tsarenkov, “Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988), 129–132 |
22. |
V. A. Dmitriev, P. A. Ivanov, N. D. Il'inskaya, A. L. Sirkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, A. E. Cherenkov, “HIGH-TEMPERATURE SIC-6H FIELD TRANSISTOR WITH THE P-N LOCKS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:4 (1988), 289–293 |
|
1987 |
23. |
A. S. Volkov, I. K. Volkova, A. L. Lipko, Sh. M. Meretliev, B. V. Tsarenkov, “Oscillating Integral Hanle Effect with Alternating Sign in Variband Semiconductor”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987), 1893–1898 |
|
1986 |
24. |
G. T. Aitieva, V. N. Bessolov, A. T. Denisova, S. E. Klimenko, S. A. Kukushkin, M. V. Lebedev, B. V. Tsarenkov, “SUPERTHIN GAAS LAYER GROWTH ON THE GAALAS SUBSTRATE BY LIQUID EPITAXY”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:5 (1986), 910–913 |
25. |
Y. A. Goldberg, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, “Transition of Semiconductor – Liquid-Metal Contact from Rectifier to Ohinic Contact”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986), 1510–1513 |
26. |
G. T. Aitieva, V. N. Bessolov, A. S. Volkov, V. V. Evstropov, K. V. Kiselev, G. G. Kochiev, A. L. Lipko, B. V. Tsarenkov, “Interface Luminescence of $n$-GaAs/$n$-GaAlAs Heterostructure Produced by Liquid Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986), 1313–1317 |
|
1985 |
27. |
Z. I. Alferov, B. V. Tsarenkov, “Semiconductors A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ – Are 35 Years Old”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:12 (1985), 2113–2117 |
28. |
A. S. Volkov, A. L. Lipko, S. E. Minakov, B. V. Tsarenkov, “Polarization Photoluminescence of a Variband
Semiconductor with Gradient of Electron $g$-Factor. I. Theory”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985), 1277–1282 |
29. |
V. N. Bessolov, E. S. Dobrynina, M. V. Lebedev, V. I. Petrov, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Luminescence of (GaAl)P Layers Elastically
and Plastically Deformed in Heteroepitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985), 1078–1080 |
30. |
A. N. Baranov, T. N. Danilova, A. N. Imenkov, B. V. Tsarenkov, Yu. M. Shernyakov, Yu. P. Yakovlev, “Coordinate Dependence of the Difference between the Coefficients of Collision Ionization of Holes and Electrons in a Variband $p{-}n$ Structure”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:3 (1985), 502–506 |
31. |
G. T. Aitieva, V. N. Bessolov, S. E. Klimenko, V. E. Korsukov, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Development of $(Ga\,Al)As$ superfine layers by liquid epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:8 (1985), 465–469 |
|
1984 |
32. |
V. V. Evstropov, K. V. Kiselev, I. L. Petrovich, B. V. Tsarenkov, “Ток, обусловленный рекомбинацией через многоуровневый центр в слое
объемного заряда $p{-}n$-структуры”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1852–1858 |
33. |
Y. A. Goldberg, O. V. Ivanova, T. V. Lvova, B. V. Tsarenkov, “К вопросу об определении контактной разности потенциалов структуры
с потенциальным барьером”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1472–1475 |
34. |
B. V. Tsarenkov, “Рецензия на книгу «Введение в физику полупроводников»”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984), 1339–1340 |
35. |
V. V. Evstropov, K. V. Kiselev, I. L. Petrovich, B. V. Tsarenkov, “Rate of Recombination via Multilevel (Multiply Charged) Center”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 902–912 |
|
1983 |
36. |
V. N. Bessolov, A. N. Imenkov, S. G. Konnikov, E. A. Posse, V. E. Umanskii, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных
варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983), 2173–2176 |
37. |
B. V. Tsarenkov, “Полупроводникам — 150 лет”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983), 2113–2115 |
38. |
A. S. Volkov, B. G. Plyaskin, B. V. Tsarenkov, G. V. Tsarenkov, “Особенности фотоэффекта в варизонной структуре с потенциальным
барьером при фотонном переносе ННЗ”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983), 2098–2100 |
39. |
Y. A. Goldberg, O. V. Ivanova, T. V. Lvova, B. V. Tsarenkov, “Влияние последовательного сопротивления на характеристику
емкость–напряжение поверхностно-барьерной структуры”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983), 1068–1072 |
40. |
A. N. Baranov, T. N. Danilova, A. N. Imenkov, B. V. Tsarenkov, Yu. M. Shernyakov, Yu. P. Yakovlev, “Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения
в варизонной $p{-}n$-структуре”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983), 753–755 |
41. |
V. V. Evstropov, И. N. Kalinin, B. V. Tsarenkov, “Неклассический термоинжекционный ток в GaP $p{-}n$-структурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:4 (1983), 599–606 |
42. |
Y. Y. Abdurakhmanov, V. N. Bessolov, A. N. Imenkov, E. A. Posse, B. V. Tsarenkov, Yu. P. Yakovlev, “Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P
$p{-}n$-структур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983), 125–128 |
|
1965 |
43. |
M. L. Belle, Yu. A. Valov, N. A. Goryunova, L. B. Zlatkin, A. N. Imenkov, M. M. Kozlov, B. V. Tsarenkov, “Optical and photoelectric properties of single $\mathrm{ZnSiP}_2$ crystals”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 163:3 (1965), 606–608 |
|
Organisations |
|
|
|
|