Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Shmartsev, Yurii Vasil'evich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 81
Scientific articles: 81

Number of views:
This page:209
Abstract pages:3599
Full texts:2081
Professor
Doctor of physico-mathematical sciences (1971)
   
Main publications:
  • Tranzistory / Ya. A. Fedotov, Yu. V. Shmartsev. - Moskva : Sov. radio, 1960. - 430 s. : il.

https://www.mathnet.ru/eng/person134742
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
1992
1. N. B. Pyshnaya, S. I. Radautsan, V. V. Chaldyshev, V. A. Chumak, Yu. V. Shmartsev, “Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992),  1737–1741  mathnet
2. V. G. Golubev, V. V. Emtsev, P. M. Klinger, G. I. Kropotov, Yu. V. Shmartsev, “Процессы образования радиационных дефектов в Si : Ge при 4.2, 78 и 300 K”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:3 (1992),  574–577  mathnet
1991
3. Yu. G. Zaretskii, Yu. I. Ukhanov, Yu. V. Shmartsev, “Normal vibrations of atomic groups in the sillenite lattice. II. $\mathrm{Me}(\mathrm{O}_{3}\mathrm{Bi}_{3})_{4}$ group”, Fizika Tverdogo Tela, 33:4 (1991),  1210–1214  mathnet
4. Yu. G. Zaretskii, Yu. I. Ukhanov, Yu. V. Shmartsev, “Normal vibrations of atomic groups in the sillenite lattice. I. $\mathrm{O}_{(1)}\mathrm{Bi}_{3}$ and $\mathrm{O}_{(2)}\mathrm{Bi}_{3}$ groups”, Fizika Tverdogo Tela, 33:4 (1991),  1202–1209  mathnet
5. L. V. Golubev, A. V. Egorov, S. V. Novikov, I. G. Savelev, V. V. Chaldyshev, R. G. Shapovalov, Yu. V. Shmartsev, “USE OF ELECTROLIQUID EPITAXY FOR THE GROWING VOLUME CRYSTALS AND SIMULTANEOUS PREPARATION OF LAYERS ON SEVERAL SUBSTRATES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 61:3 (1991),  74–79  mathnet
6. V. V. Vorob'eva, O. V. Zushinskaya, V. Lebedev, LeTuan, S. V. Novikov, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, Yu. V. Shmartsev, “Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:10 (1991),  1758–1764  mathnet
7. V. N. Denisov, B. N. Mavrin, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Комбинационное рассеяние в эпитаксиальных пленках GaAs, легированных изовалентными примесями Bi и In: влияние дефектов и затухание плазмофонона”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1472–1475  mathnet
8. V. S. Abramov, I. P. Akimchenko, V. A. Dravin, N. N. Dymova, V. V. Krasnopevtsev, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически активной и изовалентной примесей”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:8 (1991),  1355–1360  mathnet
9. V. V. Emtsev, P. M. Klinger, V. I. Fistul, Yu. V. Shmartsev, “Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  997–1003  mathnet
10. E. V. Astrova, I. A. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, O. M. Ivleva, L. G. Lavrenteva, A. A. Lebedev, I. V. Teterkina, V. V. Chaldyshev, N. A. Chernov, Yu. V. Shmartsev, “Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  898–903  mathnet
1990
11. D. I. Lubyshev, V. P. Migal, V. V. Preobrazhenskii, B. R. Semyagin, S. I. Stenin, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1862–1866  mathnet
12. I. P. Akimchenko, N. N. Dymova, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990),  1857–1861  mathnet
13. V. P. Germogenov, Y. I. Otman, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, L. E. Epiktetova, “Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990),  1095–1100  mathnet
14. V. A. Bykovskij, L. A. Ivanyutin, T. I. Kol'chenko, V. M. Lomako, I. N. Tsyplenkov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Особенности поведения изовалентной примеси — индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  77–81  mathnet
1989
15. D. I. Lubyshev, V. P. Migel, V. V. Preobrazhenskii, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Влияние отношения потоков мышьяка и галлия на люминесценцию арсенида галлия, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:10 (1989),  1913–1916  mathnet
16. V. I. Germogenov, Y. I. Otman, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Ширина запрещенной зоны в твердом растворе GaSb$_{1-x}$Bi$_{x}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989),  1517–1518  mathnet
17. N. A. Anastaseva, Yu. N. Bolsheva, V. B. Osvenskii, I. V. Stepantsova, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Влияние легирования индием на люминесценцию монокристаллов арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:7 (1989),  1259–1262  mathnet
18. Yu. F. Birulin, T. A. Lagvilava, M. G. Mil'vidskii, V. A. Pisarevskaya, E. V. Soloveva, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Об одной особенности донора — серы в GaP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1070–1075  mathnet
19. T. A. Polyanskaya, Yu. V. Shmartsev, “Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:1 (1989),  3–32  mathnet
1988
20. A. Ya. Shik, Yu. V. Shmartsev, “О реализации одномерных и квазиодномерных электронных каналов на вицинальных и профилированных поверхностях полупроводников”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:6 (1988),  1091–1095  mathnet
21. A. M. Kreschuk, M. Y. Martisov, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, I. I. Saidashev, A. Ya. Shik, Yu. V. Shmartsev, “Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988),  604–608  mathnet
22. V. M. Amusya, Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant 0.07}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  342–344  mathnet
23. A. T. Gorelenok, V. G. Gruzdov, Kumar Rakesh, V. V. Mamutin, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, Yu. V. Shmartsev, “Концентрация и подвижность электронов в InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных редкоземельными элементами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  35–43  mathnet
24. A. A. Aristarkhova, Yu. F. Birulin, S. S. Volkov, S. V. Novikov, M. Y. Timashev, Yu. V. Shmartsev, “FEATURES OF THE SURFACE OF GALLIUM-ARSENIDE, GROWN FROM BISMUTH SOLUTION-FUSION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:19 (1988),  1794–1799  mathnet
25. Yu. F. Birulin, V. P. Germogenov, O. M. Ivleva, S. G. Konnikov, Y. I. Otman, V. V. Tretyakov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, V. A. Shulbakh, L. E. Epiktetova, “SOLID-SOLUTIONS IN THE GA-SB-BI SYSTEMS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:18 (1988),  1651–1655  mathnet
1987
26. Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, V. G. Golubev, L. V. Golubev, V. I. Ivanov-Omskii, S. V. Novikov, A. V. Osutin, I. G. Savelev, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, O. V. Yaroshevich, “Mechanism of «Purification» of Gallium Arsenide by Bismuth”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2201–2209  mathnet
27. I. G. Savelev, T. A. Polyanskaya, Yu. V. Shmartsev, “Quantum Corrections to Conduction and Heating-up of Two-Dimensional Electron Gas on the AlGaAs/GaAs Heteroboundary”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:11 (1987),  2096–2099  mathnet
28. A. T. Gorelenok, V. V. Mamutin, A. V. Prikhodko, K. K. Repshas, Yu. V. Shmartsev, “Magnetoresistive E. M. F. of Quasi-Two-Dimensional Electron Gas in In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP Heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:8 (1987),  1479–1481  mathnet
29. Yu. F. Birulin, V. P. Germogenov, Y. I. Otman, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, L. E. Epiktetova, “Effect of Isovalent Indium-Doping on «Natural» Acceptors in Gallium Antimonide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987),  1118–1124  mathnet
30. Yu. F. Birulin, L. V. Golubev, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Effect of Isovalent Bismuth Doping on Shallow-Acceptor Concentration in Gallium Arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  949–952  mathnet
31. A. Ya. Vul', S. P. Vul', P. G. Petrosian, Yu. V. Shmartsev, “Drift Barriers in Epitaxial Layers of GaAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$ Pure Solid Solutions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987),  662–665  mathnet
32. Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Photoluminescence of germanium-alloyed and bismuth-alloyed $Ga\,As$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:20 (1987),  1264–1267  mathnet
33. Yu. F. Birulin, G. S. Vil'dgrube, V. N. Karyaev, A. I. Klimin, T. N. Palts, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Nea photocathodes based on $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}$ solid-solutions – their application in photomultipliers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:14 (1987),  833–835  mathnet
34. Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, V. V. Chaldyshev, T. V. Cherneva, Yu. V. Shmartsev, “Solid-solution in the indium phosphide–indium antimonide system”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:3 (1987),  188–191  mathnet
1986
35. V. M. Arutyunyan, K. G. Begoyan, Yu. G. Zaretskii, A. G. Sarkisyan, L. A. Timokhina, L. V. Sharonova, A. Ya. Shik, Yu. V. Shmartsev, “Optical properties of the two-phase metal-dielectric system $\mathrm{Cu}$–$\mathrm{ZnO}$”, Fizika Tverdogo Tela, 28:9 (1986),  2707–2710  mathnet
36. Yu. V. Shmartsev, “То the 100-th Year of Discovery of Germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2137–2139  mathnet
37. A. T. Gorelenok, V. V. Mamutin, A. V. Prikhodko, Yu. V. Shmartsev, “Delay and Suppression of Current Filament by a Magnetic Field in Quasi-Two-Dimensional In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$Аs/InР Heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986),  1488–1491  mathnet
38. R. Kh. Akchurin, Yu. F. Birulin, S. A. Islamov, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Photoluminescence of Bismuth-Doped InP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:7 (1986),  1258–1261  mathnet
39. S. P. Vul', A. Ya. Vul', P. G. Petrosian, Yu. V. Shmartsev, “Direct observations of high-ohmic areas in epitaxial layers of $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:15 (1986),  912–916  mathnet
40. Yu. F. Birulin, A. Ya. Vul', V. N. Karyaev, S. V. Kidalov, Yu. V. Shmartsev, “R-P structures based on $Al\,As-Ga$, $As-Ga\,Sb$ solid-solutions with the spectro-sensitive controlled strip”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:12 (1986),  764–767  mathnet
41. Yu. F. Birulin, N. V. Ganinia, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “The purification of gallium-arsenide by bismuth”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:5 (1986),  274–276  mathnet
42. A. Ya. Vul', A. Ya. Shik, Yu. V. Shmartsev, “Photoconductivity of heterostructures with quantum holes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:5 (1986),  257–261  mathnet
43. L. V. Sharonova, A. Ya. Shik, Yu. V. Shmartsev, “Light-reflection by metal-dielectric 2-phase mixtures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:2 (1986),  103–106  mathnet
1985
44. Z. I. Alferov, A. T. Gorelenok, V. V. Mamutin, A. V. Prikhodko, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, Yu. V. Shmartsev, R. Vashkyavichyus, “Study of SHF Absorption in InGaAs InP Heterostructures in the Mode of Electric Instability”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  2004–2007  mathnet
45. Z. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, B. Ya. Mel'tser, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, V. M. Ustinov, Yu. V. Shmartsev, “Galvanomagnetic Effects in $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs Heterostructures under high Level Doped”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1199–1203  mathnet
46. Yu. F. Birulin, N. V. Ganinia, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “To the Problem of Variation of Shallow-Impurity Compensation Degree under Isovalent Doping of Gallium Arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1104–1107  mathnet
47. M. G. Blyumina, A. T. Denisov, A. M. Kreschuk, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, I. I. Saidashev, A. P. Senichkin, Yu. V. Shmartsev, “Two-Dimensional Electron Gas in GaAs/GaAlAs Structures of Modulated Doping Produced by the Molecular-Beam Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  164–167  mathnet
48. A. Ya. Vul', S. P. Vul', S. V. Kidalov, Yu. V. Shmartsev, “High-selective photoresistor based on solid-solutions in the $Ga\,As-Ga\,Sb$ system”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:12 (1985),  717–720  mathnet
49. L. I. Antonova, Yu. F. Birulin, A. Ya. Vul', V. P. Denisov, L. G. Zabelina, R. R. Ichkitidze, A. I. Klimin, S. E. Kozlov, Yu. V. Shmartsev, “Gallium-arsenide photocathode with the integral sensitivity of $3200$ mkA-lm”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:10 (1985),  602–605  mathnet
50. L. V. Golubev, O. V. Zelenova, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “Equilibrium electro-liquid $Ga\,As_{1-x}\,Sb_{x}/Ga\,Sb$ epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  230–233  mathnet
51. V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “Electro-liquid epitaxy of the 4-component $Ga\,As_{1-x-y}\,Sb_{x}\,P_{y}$ solid-solution”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:4 (1985),  224–226  mathnet
52. A. Ya. Vul', S. P. Vul', S. V. Kidalov, I. I. Saidashev, Yu. V. Shmartsev, “Highly-efficient large area phototransistor fast-resposing on the wave length in the $0.9$–$1.1\,\mu m$ range”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 11:1 (1985),  7–11  mathnet
1984
53. Yu. G. Zaretskii, M. V. Krasinkova, G. A. Kurbatov, Yu. I. Ukhanov, Yu. V. Shmartsev, “Infrared reflection spectrum of $\mathrm{Bi}_{12}\mathrm{TiO}_{20}$”, Fizika Tverdogo Tela, 26:7 (1984),  2233–2235  mathnet
54. L. V. Golubev, O. V. Zelenova, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “ELECTRO-LIQUID EPITAXY OF INAS1-XSBX SOLID-SOLUTIONS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:11 (1984),  2233–2237  mathnet
55. K. M. Gambaryan, V. A. Gevorkyan, L. V. Golubev, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “ANALYSIS OF ADMIXTURE DISTRIBUTION UNDER EQUILIBRIUM ELECTRIC-LIQUID EPITAXY”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:10 (1984),  2011–2015  mathnet
56. Yu. F. Birulin, V. V. Vorob'eva, L. V. Golubev, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “STRUCTURE CONTROL IN THE ELECTROLIQUID EPITAXY METHOD”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:7 (1984),  1394–1399  mathnet
57. Z. I. Alferov, A. T. Gorelenok, V. V. Mamutin, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, Yu. V. Shmartsev, “Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов в гетероструктурах InGaAs/InP”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:11 (1984),  1999–2005  mathnet
58. T. L. Makarova, L. V. Sharonova, Yu. V. Shmartsev, “Электрические свойства неидеальных гетеропереходов $n$-GaP/$p$-Si и $n$-GaAs/$p$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:9 (1984),  1588–1592  mathnet
59. Yu. F. Birulin, R. R. Ichkitidze, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “On the Dependence of Photoluminescence Quantum Yield in GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ Solid Solution on Temperature and Composition”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1251–1255  mathnet
60. Zh. I. Alferov, A. T. Gorelenok, V. V. Mamutin, T. A. Polyanskaya, A. V. Prikhod'ko, V. V. Rozhdestvenskii, I. G. Savel'ev, Yu. V. Shmartsev, “Special Features of SHF-Noise in the Development of Electric Instability in Quasi-Two-Dimensional In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP Heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1237–1241  mathnet
61. Zh. I. Alferov, A. T. Gorelenok, A. V. Kamanin, V. V. Mamutin, T. A. Polyanskaya, I. G. Savel'ev, I. I. Saidashev, Yu. V. Shmartsev, “Two-Dimensional Elactron Gas in InGaAs/InP Heterostructures Produced by Liquid-Phase Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1230–1232  mathnet
62. Z. N. Adamyan, M. H. Azaryan, V. M. Arutyunyan, I. I. Saidashev, Yu. V. Shmartsev, “Noise in Symmetric Planar Structures of Silicon Compensated with Zinc”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1173–1177  mathnet
63. N. P. Gerasimov, S. V. Kozyrev, V. N. Ovsyuk, S. V. Potapov, N. S. Slavinskaya, P. A. Cheremnikh, Yu. V. Shmartsev, “On the Quantum Hall Effect in Silicon Metal–Dielectric–Semiconductor Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  365–367  mathnet
64. T. A. Polyanskaya, L. P. Krukovskaya, Yu. V. Shmartsev, “On the Temperature Dependence of Relaxation Time of Wave-Function Phase in Antimony-Doped Germanium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984),  156–159  mathnet
1983
65. A. Ya. Shik, Yu. V. Shmartsev, “Electronic phenomena in nonideal heterotransitions”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 270:3 (1983),  593–596  mathnet
66. V. M. Arutyunyan, A. O. Arakelyan, G. A. Kurbatov, Zh. R. Panosyan, A. G. Sarkisyan, K. K. Sidorin, Yu. V. Shmartsev, “Optical absorption of alloyed rutile”, Fizika Tverdogo Tela, 25:3 (1983),  942–944  mathnet
67. Yu. G. Zaretskii, G. A. Kurbatov, V. V. Prokof'ev, Yu. I. Ukhanov, Yu. V. Shmartsev, “Raman light scattering in $\mathrm{Bi}_{12}\mathrm{TiO}_{20}$”, Fizika Tverdogo Tela, 25:2 (1983),  596–598  mathnet
68. S. G. Asatryan, A. S. Kinduris, G. Z. Krivaite, G. A. Kurbatov, A. Yu. Shileika, Yu. V. Shmartsev, “OPTICAL-PROPERTIES OF TA2O5 THIN-LAYERS ON SILICON”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:12 (1983),  2362–2366  mathnet
69. V. A. Gevorkyan, L. V. Golubev, A. E. Khachatryan, Yu. V. Shmartsev, “GROWTH-KINETICS IN THE EQUILIBRIUM ELECTRIC-LIQUID EPITAXY”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 53:3 (1983),  545–549  mathnet
70. S. V. Kozyrev, R. V. Parfen'ev, T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, Yu. V. Shmartsev, “Время релаксации фазы волновой функции в двумерном электронном газе Si-МДП структур”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2230–2232  mathnet
71. O. V. Konstantinov, O. A. Mezrin, Yu. V. Shmartsev, “Модуляционные методики определения параметров связанных состояний в квантовом эффекте Холла”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1217–1224  mathnet
72. T. A. Polyanskaya, I. I. Saidashev, Yu. V. Shmartsev, “Зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации примеси в полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1081–1086  mathnet
73. A. Ya. Vul', T. A. Polyanskaya, I. G. Savelev, I. I. Saidashev, Yu. V. Shmartsev, “К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  134–138  mathnet
74. Yu. F. Birulin, N. V. Ganinia, M. G. Mil'vidskii, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “Фотолюминесценция твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ И Ga$_{1-x}$In$_{x}$As (${x< 0.01}$)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  108–114  mathnet
75. Yu. F. Birulin, S. P. Vul', V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “О зависимости ширины запрещенной зоны нелегированного твердого раствора Al$_{x}$Ga$_{1-x}$Sb от состава (${0\leqslant x\leqslant1}$) и температуры (${4.2\leqslant T\leqslant200}$ K)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:1 (1983),  103–107  mathnet
76. L. V. Golubev, S. G. Koronnyi, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “Электрожидкостная эпитаксия InAs”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:16 (1983),  961–964  mathnet
77. L. V. Golubev, S. V. Novikov, S. N. Savelyeva, Yu. V. Shmartsev, “Определение некоторых параметров раствора–расплава в электрожидкостной эпитаксии”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:11 (1983),  662–666  mathnet
78. Yu. F. Birulin, N. V. Ganinia, V. V. Chaldyshev, Yu. V. Shmartsev, “О корреляции в расположении мелких примесей в арсениде галлия, легированном индием и сурьмой”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:4 (1983),  242–245  mathnet
79. Yu. F. Birulin, L. V. Golubev, S. V. Novikov, Yu. V. Shmartsev, “Электрожидкостная эпитаксия в системе (GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:3 (1983),  155–158  mathnet
1966
80. A. S. Borshchevskii, N. A. Goryunova, G. A. Sikharulidze, V. M. Tuchkevich, Yu. V. Shmartsev, “The production and certain properties of $\mathrm{CdSnAs}_2$, a semiconducting compound”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 171:4 (1966),  830–832  mathnet
1965
81. M. Mirzabaev, V. M. Tuchkevich, Yu. V. Shmartsev, “Negative magnetic resistance in $n$-type silicon”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 163:2 (1965),  338–339  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024