|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
B. A. Andreev, E. B. Kozlov, T. M. Lifschitz, “Силы осцилляторов оптических переходов в мелких примесях и примесных
комплексах в кремнии и германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:5 (1992), 927–934  |
|
1991 |
| 2. |
B. A. Andreev, E. B. Kozlov, T. M. Lifschitz, “О ширине линий примесных оптических переходов в адсорбционных
и фототермоионизационных спектрах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991), 880–884 |
|
1988 |
| 3. |
A. S. Vedeneev, G. I. Voronkova, A. G. Zhdan, Sh. M. Kogan, T. M. Lifschitz, V. V. Ryl'kov, “Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо
компенсированных полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:4 (1988), 586–592 |
|
1987 |
| 4. |
A. G. Zhdan, T. M. Lifschitz, V. V. Ryl'kov, “Evidence of $A^{+}$ Centers and $A^{+}_{2}$ Complexes in the Kinetics of $p$-Silicon Impurity-Photoconduction Relaxation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987), 217–221 |
| 5. |
Sh. M. Kogan, T. M. Lifschitz, “Determination of the degree of admixture compensation in semiconductors by the standard method”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:11 (1987), 686–689 |
|
1983 |
| 6. |
V. Yu. Ivanov, T. M. Lifschitz, “Расщепление компонент тонкой структуры линий в фотоэлектрических
спектрах эпитаксиальных слоев GaAs в магнитном поле”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983), 2050–2054 |
|
1965 |
| 7. |
T. M. Lifschitz, F. Ya. Nagy, “Photoconductivity in germanium alloyed with V group elements when the photon energies are lower than the admixture ionization energy”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 162:4 (1965), 801–802 |
|
1953 |
| 8. |
T. M. Lifschitz, “Применение электронных умножителей для счёта элементарных частиц и квантов”, UFN, 50:3 (1953), 365–432 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: