|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1991 |
| 1. |
V. V. Emtsev, P. M. Klinger, V. I. Fistul, Yu. V. Shmartsev, “Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия
с собственными дефектами в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991), 997–1003  |
| 2. |
V. I. Fistul, A. M. Pavlov, E. N. Levadnyuk, V. I. Mikhailov, “Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si$-$Al”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:1 (1991), 124–127 |
|
1990 |
| 3. |
P. M. Klinger, V. I. Fistul, “Параметры компенсирующих центров в $n$-Si сильно компенсированным
облучением”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990), 1118–1120 |
| 4. |
V. I. Fistul, V. A. Shmugurov, “Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:6 (1990), 1038–1041 |
|
1989 |
| 5. |
S. Z. Zainabidinov, A. R. Turaev, V. I. Fistul, M. D. Khodzhaev, “Распад преципитатов никеля в монокристаллах кремния
под влиянием всестороннего сжатия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989), 2118–2121 |
| 6. |
L. S. Berman, P. M. Klinger, V. I. Fistul, “Определение параметров глубоких центров в перекомпенсированном
полупроводнике методом температурной зависимости емкости и активной
проводимости”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989), 1947–1950 |
| 7. |
V. I. Fistul, V. A. Shmugurov, “Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. III. Теория растворимости”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 688–692 |
| 8. |
V. I. Fistul, V. A. Shmugurov, “Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. II. Теория миграции, сравнение с экспериментом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 684–687 |
| 9. |
V. I. Fistul, V. A. Shmugurov, “Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии. I. Теория миграции”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 677–683 |
|
1988 |
| 10. |
Yu. A. Bobrovnikov, V. M. Kazakova, V. I. Fistul, “Квантовый гармонический резонанс в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 301–306 |
|
1987 |
| 11. |
V. I. Fistul, V. A. Shmugurov, “Migration Energies of Interstitial $d$-Impurities in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:6 (1987), 1026–1029 |
| 12. |
S. Z. Zainabidinov, V. I. Fistul, “Baric Irreversible Effects in Silicon with Impurity Precipitates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987), 766–767 |
| 13. |
K. S. Aktov, S. Z. Zainabidinov, Y. A. Karpov, V. I. Fistul, “Baric Decay of Gadolinium Precipitates in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:4 (1987), 764–765 |
|
1986 |
| 14. |
V. I. Fistul, A. M. Pavlov, A. P. Ageev, A. Sh. Aronov, “Electric and Photoelectric Properties of Structures Implanted by a Laser”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986), 2140–2144 |
| 15. |
V. V. Arbenina, A. N. Arshavsky, S. I. Skakovsky, V. I. Fistul, “Behaviour of Sn Amphoteric Impurity in GaSb$\langle$Sn$\rangle$ and GaSb$\langle$Cd,Sn$\rangle$ Epitaxial Layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986), 109–112 |
| 16. |
A. N. Arshavsky, V. V. Arbenina, S. I. Skakovsky, V. I. Fistul, N. Yu. Shlyamov, “Photoluminescence of Epitaxial GaSb Layers Heavily Doped by Amphoteric impurity”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986), 104–108 |
|
1985 |
| 17. |
G. V. Mairanovskii, V. I. Fistul, M. V. Fistul, “Concentration Profiles
under Nonisothermal Diffusion
in Solids”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985), 2082–2085 |
| 18. |
V. V. Arbenina, A. N. Arshavsky, S. I. Skakovsky, V. I. Fistul, N. Yu. Shlyamov, “Dependence of Luminescent
Properties of Heavily Doped GaSb$\langle$Cd$\rangle$ Epitaxial Layers on
the Conditions of Production”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985), 1414–1419 |
|
1984 |
| 19. |
A. N. Arshavsky, N. S. Korovin, V. I. Fistul, “Люминесцентные свойства тонких слоев антимонида галлия
на танталовых подложках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1519–1521 |
| 20. |
V. K. Bazhenov, V. I. Fistul, “Изоэлектронные примеси в полупроводниках.
Состояние проблемы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1345–1362 |
| 21. |
V. I. Fistul, “Review of Three-Volume Monograph by A. R. Regel' and V. M. Glazov «Periodic Law and
Physical Properties of Electron Melts», v. 1; «Physical Properties of Electron Melts», v. 2; «Relationships of Electron-Melts Structure
Formation», v. 3”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 961–964 |
| 22. |
V. I. Fistul, M. I. Sinder, “Diffusion Near-to-Surface Impurity Profiles in Semiconductors. III. Comparison with the Experiment”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:5 (1984), 797–801 |
| 23. |
Yu. A. Bobrovnikov, V. M. Kazakova, V. I. Fistul, I. D. Zalevskii, “Impurity Band of Iron Clusters in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984), 250–254 |
|
1983 |
| 24. |
V. I. Fistul, M. I. Sinder, “Диффузионные приповерхностные примесные профили
в полупроводниках
II. Одновременная и взаимная диффузия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983), 2003–2008 |
| 25. |
V. I. Fistul, M. I. Sinder, “Диффузионные приповерхностные примесные профили
в полупроводниках
I. Постановка задачи. Последовательная диффузия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983), 1995–2002 |
| 26. |
V. I. Fistul, “Распределение амфотерной примеси по подрешеткам многокомпонентных
твердых растворов A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983), 1107–1110 |
| 27. |
V. I. Fistul, A. M. Pavlov, “Лазерная имплантация примесей в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983), 854–858 |
| 28. |
A. G. Yakovenko, E. A. Shelonin, V. I. Fistul, “Диэлектрическая релаксация в германии, легированном медью”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:2 (1983), 345–346 |
|
1963 |
| 29. |
M. S. Chupakhin, G. G. Glavin, V. I. Fistul, “Clasters in a strongly alloyed silicon”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 150:5 (1963), 1059–1061 |
| 30. |
V. I. Fistul, M. G. Mil'vidskii, È. M. Omel'yanovskii, S. P. Grishina, “Impurities as they occur in strongly alloyed single $n$-type crystals of germanium and silicon”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 149:5 (1963), 1119–1122 |
|
1962 |
| 31. |
V. I. Fistul, N. Z. Shvarts, “Tunnel diodes”, UFN, 77:1 (1962), 109–160 ; Phys. Usp., 5:3 (1962), 430–459 |
10
|
|
1960 |
| 32. |
V. I. Fistul, D. G. Andrianov, “Adsorption-produced changes in the surface conductivity of germanium”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 130:2 (1960), 374–376 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: