|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
2001 |
| 1. |
A. P. Mel'nikov, Yu. A. Gurvich, L. N. Shestakov, E. M. Gershenzon, “Magnetic field effects on the nonohmic impurity conduction of uncompensated crystalline silicon”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 73:1 (2001), 50–53  ; JETP Letters, 73:1 (2001), 44–47  |
9
|
|
1991 |
| 2. |
E. M. Gershenzon, S. A. Grachev, L. B. Litvak-Gorskaya, “Механизм преобразования частоты в $n$-InSb-смесителе”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991), 1986–1998 |
| 3. |
E. M. Gershenzon, I. G. Gogidze, G. N. Goltsman, A. D. Semenov, A. V. Sergeev, “PICOSECOND RESPONSE ON OPTICAL-RANGE EMISSION IN THIN YBACUO FILMS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:22 (1991), 6–10 |
|
1990 |
| 4. |
V. F. Bannaya, L. I. Veselova, E. M. Gershenzon, E. N. Gusinskii, L. B. Litvak-Gorskaya, “Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей
из измерений постоянной Холла”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:12 (1990), 2145–2150 |
| 5. |
E. I. Voevodin, E. M. Gershenzon, G. N. Goltsman, N. G. Ptitsina, “Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими
примесями в Ge”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1881–1883 |
| 6. |
Yu. M. Galperin, E. M. Gershenzon, I. L. Drichko, L. B. Litvak-Gorskaya, “Кинетические явления в компенсированном $n$-InSb при низких
температурах (Обзор)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990), 3–24 |
|
1989 |
| 7. |
E. M. Gershenzon, M. E. Gershenson, G. N. Goltsman, A. M. Lyulkin, A. D. Semenov, A. V. Sergeev, “LIMITING CHARACTERISTICS OF FAST-RESPONSE SUPERCONDUCTING BOLOMETERS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:2 (1989), 111–120 |
| 8. |
E. I. Voevodin, E. M. Gershenzon, G. N. Goltsman, N. G. Ptitsina, “Энергетический спектр мелких акцепторов в сильно одноосно
деформированном Ge”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989), 1356–1361 |
| 9. |
V. F. Bannaya, L. I. Veselova, E. M. Gershenzon, “Особенности температурной зависимости холловской подвижности
в легированных и некомпенсированных полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:2 (1989), 338–345 |
| 10. |
E. E. Aksaev, E. M. Gershenzon, M. E. Gershenson, G. N. Goltsman, A. D. Semenov, A. V. Sergeev, “PERSPECTIVES FOR APPLICATION OF HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTORS FOR THE
FORMATION OF ELECTRON BOLOMETERS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:14 (1989), 88–93 |
| 11. |
E. M. Gershenzon, M. E. Gershenson, G. N. Goltsman, B. S. Karasik, A. M. Lyulkin, A. D. Semenov, “FAST-RESPONSE SUPERCONDUCTING ELECTRON BOLOMETER”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:3 (1989), 88–92 |
|
1988 |
| 12. |
E. I. Voevodin, E. M. Gershenzon, G. N. Goltsman, N. G. Ptitsina, G. M. Chulkova, “Захват свободных дырок заряженными акцепторами в одноосно
деформированном Ge”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:3 (1988), 540–543 |
|
1986 |
| 13. |
E. M. Gershenzon, L. B. Litvak-Gorskaya, G. Ya. Lugovaya, E. Z. Shapiro, “On the Interpretation of Negative Magnetoresistance for the Conduction over the Habbard Upper Band in $n$-Туре Ge<Sb>”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986), 99–103 |
|
1985 |
| 14. |
E. M. Gershenzon, I. T. Semenov, M. S. Fogel'son, “Spin-Lattice Relaxation
of Phosphorus Donors in Silicon under Uniaxial Deformation
of the Sample”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985), 1696–1698 |
|
1984 |
| 15. |
E. M. Gershenzon, I. T. Semenov, M. S. Fogel'son, “On the Mechanism of Dynamic Narrowing of ESR Line of Phosphorus Donors in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:3 (1984), 421–425 |
|
1983 |
| 16. |
V. F. Bannaya, L. I. Veselova, E. M. Gershenzon, “Об одном способе определения концентрации глубоких примесей
в германии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983), 1896–1898 |
| 17. |
E. M. Gershenzon, L. B. Litvak-Gorskaya, R. I. Rabinovich, “Отрицательное магнитосопротивление в случае проводимости
по верхней зоне Хаббарда”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983), 1873–1876 |
| 18. |
E. M. Gershenzon, G. N. Goltsman, A. I. Elantev, M. L. Kagane, V. V. Multanovskii, N. G. Ptitsina, “Применение субмиллиметровой ЛОВ спектроскопии
для определения
химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983), 1430–1437 |
| 19. |
E. M. Gershenzon, A. P. Melnikov, R. I. Rabinovich, V. B. Smirnova, “О возможности создания инверсной функции распределения свободных
носителей в полупроводниках при захвате на мелкие нейтральные примеси”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:3 (1983), 499–501 |
|
1980 |
| 20. |
E. M. Gershenzon, A. P. Mel'nikov, R. I. Rabinovich, N. A. Serebryakova, “H$^-$-like impurity centers and molecular complexes created by them in semiconductors”, UFN, 132:2 (1980), 353–378 ; Phys. Usp., 23:10 (1980), 684–698 |
37
|
|
1977 |
| 21. |
E. M. Gershenzon, “Spectral and radiospectroscopic studies of semiconductors at submillimeter wavelengths”, UFN, 122:1 (1977), 164–174 ; Phys. Usp., 20:5 (1977), 456–462 |
5
|
|
|
|
1975 |
| 22. |
E. M. Gershenzon, R. I. Rabinovich, “Новая книга по теории твердого тела”, UFN, 115:2 (1975), 339–340 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: