|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
2001 |
| 1. |
V. D. Borman, A. A. Belogorlov, A. M. Grekhov, V. N. Tronin, V. I. Troyan, “Observation of dynamic effects in the percolation transition in a «nonwetting liquid-nanoporous body» system”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 74:5 (2001), 287–290  ; JETP Letters, 74:5 (2001), 258–261  |
17
|
|
1989 |
| 2. |
O. A. Golikova, A. M. Grekhov, T. E. Salkov, “Влияние трехцентровых связей на электронные свойства аморфного
гидрированного кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989), 2060–2062 |
| 3. |
A. M. Grekhov, V. E. Kustov, N. A. Tripachko, V. I. Shakhovtsov, “Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:4 (1989), 746–748 |
|
1988 |
| 4. |
A. M. Grekhov, “Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры
примесных кластеров кремния и алмаза”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:8 (1988), 1439–1445 |
| 5. |
A. M. Grekhov, V. I. Shakhovtsov, “Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных
примесей в кремнии.
Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge
в Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 285–288 |
| 6. |
A. M. Grekhov, N. I. Deryugina, G. M. Klapchenko, Yu. P. Tsyashchenko, “Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную
структуру $a$-Si : H”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988), 273–275 |
|
1987 |
| 7. |
A. M. Grekhov, V. M. Gunko, V. I. Shakhovtsov, “Study of Electronic Structure of Isoelectronic Impurities in Silicon. C, Ge Atoms and Their Complexes with Vacancies”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:10 (1987), 1837–1841 |
|
1986 |
| 8. |
A. M. Grekhov, G. M. Klapchenko, Yu. P. Tsyashchenko, “Possible Configuration Models and Adiabatic Potentials for Hydrogen in $a$-Si : H”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:8 (1986), 1505–1509 |
| 9. |
A. M. Grekhov, V. M. Gunko, “Relaxation of Split-Bond Local Environment in Amorphous Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 952–953 |
| 10. |
A. M. Grekhov, G. M. Klapchenko, Yu. P. Tsyashchenko, “Variation of Bivacancy Electron Structure under Hydrogenation of Amorphous Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 949–951 |
|
1985 |
| 11. |
A. M. Grekhov, V. M. Gunko, G. M. Klapchenko, Yu. P. Tsyashchenko, “Relaxation of vacancy local structure saturated with hydrogen in silicon”, Fizika Tverdogo Tela, 27:1 (1985), 285–287 |
| 12. |
A. M. Grekhov, V. M. Gunko, “Calculation
of the Effect of Disorder on
Amorphous-Silicon Optical Constants”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985), 1892–1893 |
| 13. |
A. M. Grekhov, V. M. Gunko, “Calculation of Variations of Optical Parameters
and Electron Structure under Amorphous-Silicon Hydrogenation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985), 1889–1891 |
|
1984 |
| 14. |
A. M. Grekhov, G. M. Klapchenko, Yu. P. Tsyashchenko, “Теоретические модели дефектов в аморфном кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:8 (1984), 1392–1396 |
|
1983 |
| 15. |
Yu. M. Suleimanov, A. M. Grekhov, V. M. Grekhov, “$D_{1}$-spectrum electron-vibrational structure of irradiated $\mathrm{SiC}$”, Fizika Tverdogo Tela, 25:6 (1983), 1840–1843 |
| 16. |
A. M. Grekhov, V. M. Gunko, G. M. Klapchenko, Yu. P. Tsyashchenko, “Энергетические уровни пар фосфора и бора в аморфном кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:11 (1983), 2088–2090 |
| 17. |
A. M. Grekhov, V. M. Gunko, G. M. Klapchenko, Yu. P. Tsyashchenko, “Влияние водорода на оборванные связи в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983), 1859–1861 |
| 18. |
V. I. Gavrilenko, A. M. Grekhov, G. A. Katrich, V. V. Klimov, V. G. Litovchenko, “Влияние аморфизации на энергетические состояния валентных электронов
в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:9 (1983), 1642–1647 |
|
1979 |
| 19. |
L. V. Artamonov, A. M. Grekhov, A. B. Roitsin, “On the relation between direct and indirect exchanges in polyatomic systems”, Dokl. Akad. Nauk SSSR, 247:5 (1979), 1115–1119 |
|
| Organisations |
|
| |
|
|
Contact us: