Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф. В. Лукина (Гос.НИИФП) образован в 1964 г. в составе комплекса институтов и заводов г. Зеленограда с целью исследований и развития физико-технологического базиса новых поколений изделий микроэлектроники и созданию научного задела. Этим Гос.НИИФП существенно отличается от других промышленных НИИ.

Общая численность института на начало 1995 г. — 650 человек, из них 13 докторов и 92 кандидата наук.

Институтом выполнен комплекс исследований и разработок по формированию физико-технологических основ создания ряда новых элементов, структур, приборов и устройств микро-, нано-, опто-, молекулярной, сверхпроводниковой электроники. В составе этих работ: энергонезависимые репрограммируемые запоминающие устройства (ЗУ); приборы с зарядовой связью; ЗУ на основе цилиндрических магнитных доменов; высокоэффективные светодиоды; криоэлектронные интегральные схемы (ИС); в том числе с контактами Джозефсона и элементами ИС с использованием материалов с высокотемпературной сверхпроводимостью; органические мономолекулярные пленки; полученные по технологии Ленгмюр–Блоджетт для прецизионной литографии; жидкокристаллические экраны и индикаторы. Полученные результаты по ряду приборных и ключевых технологических процессов переданы и освоены на предприятиях различных отраслей промышленности. В ряде случаев приборно-технологические разработки передавались для освоения на предприятия электронной и других отраслей промышленности вместе с коллективом исполнителей. С использованием переданных технологий на заводах электронной промышленности освоено производство и ведется выпуск изделий, в том числе интегральных схем энергонезависисмых репрограммируемых запоминающих устройств, интегральных схем на приборах с зарядовой связью, светодиодов с использованием гетероструктур на арсениде галлия, жидкокристаллических индикаторов и др.

В настоящее время Гос.НИИФП работает по направлениям субмикронной технологии с топологическими размерами 0.3–0.1 мкм. и нанотехнологии с размерами 300–10 нм., мембранной технологии на пленках толщиной до 0.3 мкм. как основы создания разнообразных датчиков и изделий микромеханики, органических полимерных материалов для получения электронных компонентов и других изделий.

Для проведения НИОКР институт располагает технологическим, контрольно-измерительным и аналитическим оборудованием. Особое место в обеспечении перспективных направлений работ и реализации научного задела отведено создаваемому в институте аналитико-технологическому комплексу с синхротронным источником, который является единственным в России специализированным источником для решения актуальных задач электроники, медицины и других областей науки.

В настоящее время эффективно работают лаборатории по разработке и аналитическим исследованиям сложных микроэлектронных и нанометровых структур, моделирования, оснащенные современным отечественным высоковакуумным оборудованием и аналитическим оборудованием ведущих зарубежных фирм Японии, Франции, Англии, США.

Для подготовки исследователей высокой квалификации институт имеет две кафедры: "Микроэлектроники" в Московском физико-техническом институте и "Субмикронная и молекулярная технология" в Московском государственном институте электронной техники.

В Гос.НИИФП подготовлено и защищено более 30 докторских и 200 кандидатских диссертаций, опубликовано более 20 монографий, ежегодно публикуются более 200 научных трудов.

Ведущие специалисты института приглашаются в иностранные институты для проведения совместных исследований и чтения лекций.

Развиваются международные контакты с ведущими зарубежными центрами Японии, Италии, Германии, Китая, Польши, США, Великобритании.

Гос.НИИФП является одним из основных исполнителей Российской государственной программы развития электронной техники в части фундаментальных и поисковых исследований и разработки технологий, ряде межведомственных и Государственных программ, в том числе "Физика твердотельных структур", "Синхротронное излучение: лучевые применения" и др. В подготовленной программе "Национальная технологическая база" институт является одним из ведущих предприятий раздела "Микро- и наноэлектронные технологии".

Постановлением Правительства от 19 декабря 1994 г. № 1398 Гос.НИИФП присвоен статус Государственного научного центра Российской Федерации.