Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Авторы с наибольшим числом научных статей в журнале "Физика и техника полупроводников"

учитываются научные статьи, опубликованные в рецензируемых журналах и серийных изданиях, сборниках трудов научных конференций, индексированные в международных библиографических базах данных или имеющие DOI
1. А. А. Лебедев 67
2. Ю. В. Шмарцев 47
3. В. И. Иванов-Омский 44
4. В. И. Гавриленко 42
5. В. Ф. Мастеров 42
6. В. Я. Алешкин 41
7. Д. З. Гарбузов 41
8. С. А. Немов 41
9. А. Я. Шик 40
10. Ю. П. Яковлев 40
11. В. В. Емцев 38
12. И. Н. Арсентьев 37
13. В. М. Ломако 37
14. В. И. Шаховцов 35
15. Б. В. Царенков 34
16. Е. И. Теруков 33
17. П. И. Баранский 33
18. В. М. Глазов 32
19. С. В. Морозов 32
20. В. В. Чалдышев 32
40 авторов с наибольшим числом научных статей в журнале

Наиболее цитируемые авторы журнала "Физика и техника полупроводников"
1. С. А. Минтаиров 149
2. Г. Э. Цырлин 142
3. В. И. Гавриленко 140
4. С. В. Сорокина 135
5. В. П. Хвостиков 135
6. А. Е. Жуков 134
7. Н. А. Калюжный 133
8. П. П. Мальцев 128
9. Н. Х. Тимошина 124
10. В. В. Румянцев 121
11. Н. А. Пихтин 120
12. М. З. Шварц 118
13. Е. И. Теруков 113
14. С. А. Дворецкий 110
15. А. Ю. Егоров 106
16. Н. Н. Михайлов 106
17. Н. С. Потапович 104
18. С. В. Морозов 102
19. А. В. Бабичев 102
20. Р. А. Хабибуллин 100
40 наиболее цитируемых авторов журнала

Часто цитируемые статьи журнала "Физика и техника полупроводников"
1. Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)
В. Ю. Давыдов, Д. Ю. Усачёв, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, И. А. Елисеев, П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, О. Ю. Вилков, А. Г. Рыбкин, А. А. Лебедев
Физика и техника полупроводников, 2017, 51:8, 1116–1124 		49
2. Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, В. М. Емельянов, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев
Физика и техника полупроводников, 2016, 50:9, 1242–1246 		42
3. Вертикальные гетероструктуры на основе графена и других монослойных материалов
И. В. Антонова
Физика и техника полупроводников, 2016, 50:1, 67–82 		40
4. Experimental observation of Dyakonov plasmons in the mid-infrared
O. Takayama, P. Dmitriev, E. Shkondin, O. Yermakov, M. Panah, K. Golenitskii, F. Jensen, A. Bogdanov, A. Lavrinenko
Физика и техника полупроводников, 2018, 52:4, 465–465 		31
5. Синтез наноструктур на основе оксида цинка для создания гетероструктурных фотовольтаических элементов
Н. А. Лашкова, А. И. Максимов, А. А. Рябко, А. А. Бобков, В. А. Мошников, Е. И. Теруков
Физика и техника полупроводников, 2016, 50:9, 1276–1282 		29
6. A comparative study on the electronic and optical properties of Sb$_{2}$Se$_{3}$ thin film
M. Kamruzzaman, Chaoping Liu, A. K. M. Farid Ul Islam, J. A. Zapien
Физика и техника полупроводников, 2017, 51:12, 1673–1681 		28
7. TCAD simulation study of single, double, and triple material gate engineered trigate FinFETs
P. Vimala, T. S. Arun Samuel
Физика и техника полупроводников, 2020, 54:4, 426–426 		26
8. Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)
М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев
Физика и техника полупроводников, 2019, 53:3, 291–308 		26
9. Кристаллизация плeнок аморфного германия и многослойных структур $a$-Ge/$a$-Si под действием наносекундного лазерного излучения
В. А. Володин, Г. К. Кривякин, Г. Д. Ивлев, С. Л. Прокопьев, С. В. Гусакова, А. А. Попов
Физика и техника полупроводников, 2019, 53:3, 423–429 		24
10. Толстые слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на сапфировых подложках, полученные методом хлоридной эпитаксии
А. И. Печников, С. И. Степанов, А. В. Чикиряка, М. П. Щеглов, М. А. Одноблюдов, В. И. Николаев
Физика и техника полупроводников, 2019, 53:6, 789–792 		23
11. Оптимизация параметров HEMT-гетероструктур GaN/AlN/ AlGaN для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования
В. Г. Тихомиров, В. Е. Земляков, В. В. Волков, Я. М. Парнес, В. Н. Вьюгинов, В. В. Лундин, А. В. Сахаров, Е. Е. Заварин, А. Ф. Цацульников, Н. А. Черкашин, М. Н. Мизеров, В. М. Устинов
Физика и техника полупроводников, 2016, 50:2, 245–249 		23
12. Manganese-doped ZnS QDs: an investigation into the optimal amount of doping
S. Tomar, S. Gupta, S. Mukherjee, A. Singh, S. Kumar, R. K. Choubey
Физика и техника полупроводников, 2020, 54:11, 1224–1224 		22
13. Полиморфные превращения и термическое расширение кристаллов AgCuSe$_{0.5}$(S,Te)$_{0.5}$
Ю. И. Алыев, Ю. Г. Асадов, Р. Д. Алыева, С. Г. Джабаров
Физика и техника полупроводников, 2017, 51:6, 766–772 		21
14. Генерация квантово-каскадных лазеров на длине волны излучения 5.8 мкм при комнатной температуре
А. В. Бабичев, A. Bousseksou, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Е. В. Никитина, А. Н. Софронов, Д. А. Фирсов, Л. Е. Воробьев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров
Физика и техника полупроводников, 2016, 50:10, 1320–1324 		21
15. Особенности проявления квантового размерного эффекта в явлениях переноса в тонких пленках висмута на подложках из слюды
Е. В. Демидов, В. М. Грабов, В. А. Комаров, А. Н. Крушельницкий, А. В. Суслов, М. В. Суслов
Физика и техника полупроводников, 2019, 53:6, 736–740 		20
16. Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO$_{2}$ : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц
Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, О. А. Новодворский, А. А. Лотин, И. А. Петухов, Ф. Н. Путилин, К. Д. Щербачев
Физика и техника полупроводников, 2017, 51:3, 426–430 		20
17. Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches
N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov
Физика и техника полупроводников, 2016, 50:8, 1047–1054 		20
18. Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров
Физика и техника полупроводников, 2016, 50:10, 1395–1400 		20
19. Размерная зависимость температуры плавления наночастиц кремния: молекулярно-динамическое и термодинамическое моделирование
И. В. Талызин, М. В. Самсонов, В. М. Самсонов, М. Ю. Пушкарь, В. В. Дронников
Физика и техника полупроводников, 2019, 53:7, 964–970 		19
20. Application of B$_{12}$N$_{12}$ and B$_{12}$P$_{12}$ as two fullerene-like semiconductors for adsorption of halomethane: density functional theory study
Ali Shokuhi Rad
Физика и техника полупроводников, 2017, 51:1, 134–134 		19
40 наиболее цитируемых статей журнала

Наиболее популярные статьи журнала "Физика и техника полупроводников"
| за неделю | за месяц | за год | за все время |
1. Исследование фотоэффектов в кремнии, легированном скандием
К. А. Адилов, Б. Ибрагимова, Х. Т. Игамбердыев, А. Т. Мамадалимов, К. Махмудов, П. К. Хабибуллаев
Физика и техника полупроводников, 1987, 21:7, 1198–1202 		11
2. Исследование параметров уровней рения в кремнии методом DLTS
А. Мирзаев, Ш. Махкамов, П. К. Хабибуллаев
Физика и техника полупроводников, 1987, 21:8, 1404–1407 		11
3. Механизмы излучательной рекомбинации в ядерно легированном арсениде галлия
В. А. Быковский, В. А. Гирий, Ф. П. Коршунов, В. И. Утенко
Физика и техника полупроводников, 1989, 23:1, 79–84 		11
4. Влияние параметров гетероструктур AlN/GaN/AlGaN и AlN/GaN/InAlN с двумерным электронным газом на их электрофизические свойства и характеристики транзисторов на их основе
А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. А. Яговкина, А. В. Сахаров, С. О. Усов, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. М. Устинов
Физика и техника полупроводников, 2016, 50:10, 1401–1407 		10
5. Прыжковое магнитосопротивление аморфных полупроводников, содержащих дефекты с положительной энергией корреляции, на переменном токе
А. Д. Беляев, И. П. Звягин
Физика и техника полупроводников, 1987, 21:2, 201–206 		9
6. Магниторезистивная ЭДС квазидвумерного электронного газа в гетероструктурах In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP
А. Т. Гореленок, В. В. Мамутин, А. В. Приходько, К. К. Репшас, Ю. В. Шмарцев
Физика и техника полупроводников, 1987, 21:8, 1479–1481 		9
7. Спектры комбинационного рассеяния света свободными носителями тока и релаксационные характеристики многодолинных полупроводников
В. А. Войтенко
Физика и техника полупроводников, 1987, 21:12, 2183–2189 		9
8. Образование и температурная стабильность дефектов в приповерхностном слое Si структур Si$-$SiO$_{2}$, имплантированных ионами Ti
Е. А. Боброва, В. С. Вавилов, Ю. Д. Вулис, Г. Н. Галкин, В. В. Поспелов
Физика и техника полупроводников, 1984, 18:4, 696–699 		9
9. Теория прыжковой фотопроводимости при длинноволновом возбуждении
И. М. Рузин, Б. И. Шкловский
Физика и техника полупроводников, 1989, 23:10, 1881–1887 		9
10. Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
А. А. Кальфа, А. Б. Пашковский
Физика и техника полупроводников, 1990, 24:7, 1187–1189 		9
Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
Период индексации: 1983–2021

Публикаций: 6692
Научных статей: 6626
Авторов: 5561
Ссылок на журнал: 6157
Цитированных статей: 1378

Импакт-фактор Web of Science
за 2023 год: 0.600
за 2021 год: 0.660

Часто публикуемые авторы
Часто цитируемые авторы
Часто цитируемые статьи
Популярные статьи
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024