Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
General information
Latest issue
Archive

Search papers
Search references

RSS
Latest issue
Current issues
Archive issues
What is RSS


Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov:
Year:
Volume:
Issue:
Page:
Find




Personal entry:
Login:
Password:
Save password
Enter
Forgotten password?
Register

Most published authors (scientific articles only) of the journal

scientific articles published in peer review journal, serial, conference publications, indexed in international bibliographical databases and/or having DOI index
1. A. A. Lebedev 67
2. Yu. V. Shmartsev 47
3. V. I. Ivanov-Omskii 44
4. V. I. Gavrilenko 42
5. V. F. Masterov 42
6. V. Ya. Aleshkin 41
7. D. Z. Garbuzov 41
8. S. A. Nemov 41
9. A. Ya. Shik 40
10. Yu. P. Yakovlev 40
11. V. V. Emtsev 38
12. I. N. Arsent'ev 37
13. V. M. Lomako 37
14. V. I. Shakhovtsov 35
15. B. V. Tsarenkov 34
16. E. I. Terukov 33
17. P. I. Baransky 33
18. V. M. Glazov 32
19. S. V. Morozov 32
20. V. V. Chaldyshev 32
40 most published authors of the journal

Most cited authors of the journal
1. S. A. Mintairov 148
2. G. È. Cirlin 142
3. V. I. Gavrilenko 140
4. A. E. Zhukov 134
5. S. V. Sorokina 134
6. V. P. Khvostikov 134
7. N. A. Kalyuzhnyy 133
8. P. P. Maltsev 126
9. N. Kh. Timoshina 124
10. V. V. Rumyantsev 121
11. N. A. Pikhtin 118
12. M. Z. Shvarts 117
13. E. I. Terukov 112
14. S. A. Dvoretskii 110
15. A. Yu. Egorov 106
16. N. N. Mikhailov 106
17. N. S. Potapovich 104
18. S. V. Morozov 102
19. A. V. Babichev 102
20. R. A. Khabibullin 100
40 most cited authors of the journal

Most cited articles of the journal
1. Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6$H$-SiC (0001)
V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2017, 51:8, 1116–1124 		49
2. Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures
V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2016, 50:9, 1242–1246 		42
3. Vertical heterostructures based on graphene and other 2D materials
I. V. Antonova
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2016, 50:1, 67–82 		40
4. Experimental observation of Dyakonov plasmons in the mid-infrared
O. Takayama, P. Dmitriev, E. Shkondin, O. Yermakov, M. Panah, K. Golenitskii, F. Jensen, A. Bogdanov, A. Lavrinenko
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2018, 52:4, 465–465 		31
5. Synthesis of ZnO-based nanostructures for heterostructure photovoltaic cells
N. A. Lashkova, A. I. Maximov, A. A. Ryabko, A. A. Bobkov, V. A. Moshnikov, E. I. Terukov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2016, 50:9, 1276–1282 		29
6. A comparative study on the electronic and optical properties of Sb$_{2}$Se$_{3}$ thin film
M. Kamruzzaman, Chaoping Liu, A. K. M. Farid Ul Islam, J. A. Zapien
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2017, 51:12, 1673–1681 		28
7. Discovery of III–V semiconductors: physical properties and application
M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2019, 53:3, 291–308 		26
8. TCAD simulation study of single, double, and triple material gate engineered trigate FinFETs
P. Vimala, T. S. Arun Samuel
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2020, 54:4, 426–426 		25
9. Crystallization of amorphous germanium films and multilayer $a$-Ge/$a$-Si structures upon exposure to nanosecond laser radiation
V. A. Volodin, G. K. Krivyakin, G. D. Ivlev, S. L. Prokopyev, S. V. Gusakova, A. A. Popov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2019, 53:3, 423–429 		24
10. Thick $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers on sapphire substrates grown by halide epitaxy
A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, A. V. Chikiryaka, M. P. Scheglov, M. A. Odnoblyudov, V. I. Nikolaev
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2019, 53:6, 789–792 		23
11. Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation
V. G. Tikhomirov, V. E. Zemlyakov, V. V. Volkov, Ya. M. Parnes, V. N. V’yuginov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Cherkashin, M. N. Mizerov, V. M. Ustinov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2016, 50:2, 245–249 		23
12. Manganese-doped ZnS QDs: an investigation into the optimal amount of doping
S. Tomar, S. Gupta, S. Mukherjee, A. Singh, S. Kumar, R. K. Choubey
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2020, 54:11, 1224–1224 		22
13. Polymorphic transformations and thermal expansion in AgCuSe$_{0.5}$(S,Te)$_{0.5}$ crystals
Yu. I. Aliyev, Yu. G. Asadov, R. D. Aliyeva, S. H. Jabarov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2017, 51:6, 766–772 		21
14. Room-temperature operation of quantum cascade lasers at a wavelength of 5.8 $\mu$m
A. V. Babichev, A. Bousseksou, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, E. V. Nikitina, A. N. Sofronov, D. A. Firsov, L. E. Vorob'ev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2016, 50:10, 1320–1324 		21
15. Specific features of the quantum-size effect in transport phenomena in bismuth-thin films on mica substrates
E. V. Demidov, V. M. Grabov, V. A. Komarov, A. N. Krushelnitckii, A. V. Suslov, M. V. Suslov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2019, 53:6, 736–740 		20
16. Room temperature de Haas–van Alphen effect in silicon nanosandwiches
N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2016, 50:8, 1047–1054 		20
17. Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures
R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, K. N. Tomosh, R. R. Galiev, P. P. Maltsev, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, Zh. I. Alferov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2016, 50:10, 1395–1400 		20
18. Size dependence of the melting point of silicon nanoparticles: molecular dynamics and thermodynamic simulation
I. V. Talyzin, M. V. Samsonov, V. M. Samsonov, M. Yu. Pushkar, V. V. Dronnikov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2019, 53:7, 964–970 		19
19. Effect of energy density on the target on SnO$_{2}$ : Sb film properties when using a high-speed particle separator
L. S. Parshina, O. D. Khramova, O. A. Novodvorskii, A. A. Lotin, I. A. Petukhov, F. N. Putilin, K. D. Shcherbachev
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2017, 51:3, 426–430 		19
20. Application of B$_{12}$N$_{12}$ and B$_{12}$P$_{12}$ as two fullerene-like semiconductors for adsorption of halomethane: density functional theory study
Ali Shokuhi Rad
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2017, 51:1, 134–134 		19
40 most cited articles of the journal

Most requested articles of the journal
| one week | one month | one year | all time |
1. Study of Hall Effect for Aluminium, Gallium and Indium Antimonides in Solid and Liquid States
V. M. Glazov, V. V. Koltsov, V. A. Kurbatov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1985, 19:4, 662–667 		6
2. Ellipsometric method for measuring the CdTe buffer-layer temperature in the molecular-beam epitaxy of CdHgTe
V. A. Shvets, I. A. Azarov, D. V. Marin, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2019, 53:1, 137–142 		6
3. Poole–Frenkel effect and the opportunity of its application for the prediction of radiation charge accumulation in thermal silicon dioxide
A. A. Shiryaev, V. M. Vorotyntsev, E. L. Shobolov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2018, 52:9, 990–994 		6
4. Carrier velocity effect on carbon nanotube Schottky contact
Amir Fathi, M. T. Ahmadi, Razali Ismail
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2016, 50:8, 1077–1080 		6
5. Determination of Free-Electron Concentration in Compensated $n$-Type InSb Using Ultrasoun Absorption
Yu. M. Gal'perin, I. L. Drichko, L. B. Litvak-Gorskaya
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1987, 21:1, 124–128 		5
6. Вольтамперные характеристики $p{-}i{-}n$-диода при сверхвысоких уровнях инжекции
A. A. Abramov
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1983, 17:11, 1957–1962 		5
7. Теория прыжковой фотопроводимости при длинноволновом возбуждении
I. M. Ruzin, B. I. Shklovskii
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1989, 23:10, 1881–1887 		5
8. Temperature stability features of ohmic contacts resistance to GaAs and GaN based nanoheterostructures
V. I. Egorkin, V. E. Zemlyakov, A. V. Nezhentsev, A. A. Zaitsev, V. I. Garmash
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2021, 55:12, 1260–1263 		5
9. Formation of acceptor centers in CdHgTe as a result of water and heat treatments
G. Yu. Sidorov, Yu. G. Sidorov, V. A. Shvets, V. S. Varavin
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 2021, 55:4, 331–335 		5
10. Two-Dimensional Electron Gas in the Metal-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs Structure with Selective Doping
A. A. Kal'fa
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 1986, 20:3, 468–471 		4
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Total publications: 6692
Scientific articles: 6626
Authors: 5561
Citations: 6081
Cited articles: 1376

Impact Factor Web of Science
for 2023: 0.600
for 2021: 0.660

Most published authors
Most cited authors
Most cited articles
Most requested articles
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024