|
Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 1983, Volume 9, Issue 20, Pages 1275–1278
(Mi pjtf1812)
|
|
|
|
Рекомбинация через глубокие центры
при электронно-дырочном рассеянии
в полупроводниках
I. V. Grekhov, A. E. Otblesk
Citation:
I. V. Grekhov, A. E. Otblesk, “Рекомбинация через глубокие центры
при электронно-дырочном рассеянии
в полупроводниках”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 9:20 (1983), 1275–1278
Linking options:
https://www.mathnet.ru/eng/pjtf1812 https://www.mathnet.ru/eng/pjtf/v9/i20/p1275
|
Statistics & downloads: |
Abstract page: | 54 | Full-text PDF : | 14 |
|